반도체 Photo
공정용 소재
Semiconductor
Application Materials
반도체 제조의 핵심 공정인 Photo 공정에 사용되는 정밀화학 소재로,
합성(Synthesis)와 정제(Purification) 기술을 기반으로 합니다.
주요제품
Photo 공정용 소재
Photo Resist는 빛의 특정 파장에 민감하게 반응하여 물성이 바뀌는 물질로
반도체 패턴 형성 (Photolithography)의 핵심 공정인 노광 공정에 쓰이는 감광성 물질이며,
고분자(Polymer), 감광제(PAG), 첨가제(Additive)로 구성되어 있습니다.
-
PR용 PolymerPhotoresist 특성을 좌우하는
핵심 화학 물질입니다. -
PR용 PAG
(Photo Acid Generator)빛을 흡수하면 산이 발생하며 발생된
산이 촉매가 되어 Polymer 구조를
변형시켜 패턴이 형성 됩니다. -
PR용 MonomerPolymer의 출발 물질입니다.
-
PR용 AdditivePhoto Resist의 성능에 대한 보조역할을
하는 물질입니다.
미세패턴을 형성하는 얇은 PR을 보완해주는 소재로, PR에 보호막을 형성하거나, 빛의 굴곡을 막아 패턴이
잘 형성되도록 도와주는 역할을 합니다.
-
BARC용 PolymerPR 하단에 코팅되는 반사방지막으로 phtolithograpy 공정 중 기판에 반사되는 빛으로 인한 문제점을 억제하여 일정한 페터닝을 할 수 있도록 도와주는 물질입니다.
-
SOH용 Polymer/Monomer패턴 미세화에 따라 Etch 공정 중
Photo resist 붕괴를 막기 위한 지지층
역할을 합니다.
